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BLM03EB500SN1芯片鐵氧體磁珠BLM系列被設計成在噪聲頻率下幾乎作為電阻器作用，這大大降低了共振的可能性保持信號波形不失真。BLM系列在沒有穩(wěn)定電路的情況下是有效的因為BLM系列不需要接地線與地面連接。外部的鎳屏障結構電極提供優(yōu)異
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BLM03PG330SN1D芯片鐵氧體磁珠BLM系列被設計成在噪聲頻率下幾乎作為電阻器作用，這大大降低了共振的可能性保持信號波形不失真。BLM系列在沒有穩(wěn)定電路的情況下是有效的因為BLM系列不需要接地線與地面連接。外部的鎳屏障結構電極提供優(yōu)
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BLM03HG601SN1D芯片鐵氧體磁珠BLM系列被設計成在噪聲頻率下幾乎作為電阻器作用，這大大降低了共振的可能性保持信號波形不失真。BLM系列在沒有穩(wěn)定電路的情況下是有效的因為BLM系列不需要接地線與地面連接。外部的鎳屏障結構電極提供優(yōu)
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BLM03AX102SN1D芯片鐵氧體磁珠BLM系列被設計成在噪聲頻率下幾乎作為電阻器作用，這大大降低了共振的可能性保持信號波形不失真。BLM系列在沒有穩(wěn)定電路的情況下是有效的因為BLM系列不需要接地線與地面連接。外部的鎳屏障結構電極提供優(yōu)
