村田無(wú)源晶振使用的場(chǎng)合特別多，大部分電路中都會(huì)使用到，這也是工程師在做電路設(shè)計(jì)中，需要了解了注意的一些問(wèn)題。

影響無(wú)源晶振穩(wěn)定性的主要有以下幾個(gè)參數(shù)：驅(qū)動(dòng)功率、負(fù)載電容和負(fù)性阻抗。

1.驅(qū)動(dòng)功率：驅(qū)動(dòng)功率表示振蕩晶體單元所需的電功率。如果驅(qū)動(dòng)功率太小不足以驅(qū)動(dòng)無(wú)源晶振，則會(huì)導(dǎo)致晶振不起振；如果驅(qū)動(dòng)功率過(guò)大，則會(huì)導(dǎo)致輸出頻率偏移。這是因?yàn)楣β蔬^(guò)大會(huì)造成晶體的應(yīng)力，從而導(dǎo)致溫度升高。如果在晶體單元上施加過(guò)多的驅(qū)動(dòng)功率，可能會(huì)使晶體惡化甚至損壞其特性。

2.負(fù)載電容：

理論上，當(dāng)無(wú)源晶振電路的等效電容等于負(fù)載電容時(shí)，無(wú)源晶振輸出的頻率準(zhǔn)確。而電容具有充放電的功能，電容容值越大，放電越慢，電容容值越小，放電越快。如果測(cè)得的實(shí)際頻率比理論值偏小，說(shuō)明振蕩器振蕩頻率偏慢，電容的放電太慢，等效電容大于負(fù)載電容，需要降低外部的匹配電容。

3.負(fù)性阻抗：

負(fù)性阻抗是用來(lái)評(píng)價(jià)振蕩回路品質(zhì)（Q）的指標(biāo)。在某些情況下（老化，溫度變化，電壓變化…等），振蕩回路會(huì)失效，回路可能不起振，因此負(fù)性阻抗（Negativeresistance，-R）的確認(rèn)就變得相對(duì)重要。穩(wěn)定的振蕩回路，負(fù)性阻抗（-R）至少為Crystal阻抗的5倍以上。

1>串聯(lián)電阻R到Crystal的輸出端（Xout）；

2>調(diào)整R值，使Crystal由起振至停止振蕩；

3>當(dāng)電路由起振至停止振蕩時(shí)，測(cè)量R值；

4>得到負(fù)性阻抗|-R|=R+Re，Re=R1（1+C0/CL）^2，R1就是ESR的值。