村田陶瓷電容有很多特點(diǎn)，而村田陶瓷電容也有很多特點(diǎn)。 今天，村田代理商就帶您了解其ESD特性。
當(dāng)人體和設(shè)備所攜帶的靜電向整機(jī)和電子元件放電時(shí)，由于沖擊電磁能的增加，產(chǎn)品必須具有一定的ESD耐受能力。 ESD電阻測(cè)試方法根據(jù)靜電的模型分為HBM、MM、CDM三種。 我們將向您展示 HBM，它通常用作測(cè)試電容器 ESD 耐受性的方法。
HBM的ESD測(cè)試規(guī)范包括AEC-Q200-002和IEC61000-4-2等，因規(guī)范不同，HBM型號(hào)如下表所示。
| 規(guī)格名 | 充電用電容器 Cd（pF） | 放電用電阻 Rd （Ω） |
|---|---|---|
| AEC-Q200-002 | 150 | 2000 |
| IEC61000-4-2 | 150 | 330 |
AEC-Q200-002HBM的ESD測(cè)試電路和放電電流波形如圖1和圖2所示。
（一）開(kāi)關(guān)2處于斷開(kāi)狀態(tài)，開(kāi)關(guān)1閉合，施加高壓電源，充電電容（Cd）蓄電。
(ii) 開(kāi)關(guān)1打開(kāi)，開(kāi)關(guān)2閉合，Cd中儲(chǔ)存的電加到被測(cè)物的電容器(Cx)上進(jìn)行測(cè)試。
圖 2. 放電電流波形
根據(jù)AEC-Q200-002，HBM的ESD測(cè)試流程如圖3所示，等級(jí)分類(lèi)如表1所示。 按照?qǐng)D3流程進(jìn)行測(cè)試，耐壓等級(jí)分類(lèi)如圖3所示 表格1。
圖3.HBM的ESD測(cè)試流程
表1.HBM的ESD測(cè)試流程
表1.HBM的ESD測(cè)試流程
| 分類(lèi) | 峰值耐電壓 |
|---|---|
| 1A | 500V（DC）以下 |
| 1B | 0.5kV（DC）以上 1kV（DC）以下 |
| 1C | 1kV（DC）以上 2kV（DC）以下 |
| 2 | 2kV（DC）以上 4kV（DC）以下 |
| 3 | 4kV（DC）以上 6kV（DC）以下 |
| 4 | 6kV（DC）以上 8kV（DC）以下 |
| 5A | 8kV（DC）以上 12kV（AD）以下 |
| 5B | 12kV（AD）以上 16kV（AD）以下 |
| 5C | 16kV（AD）以上 25kV（AD）以下 |
| 6 | 25kV（AD）以上 |
電容器靜電容量與ESD耐性的關(guān)系
被測(cè)電容器的電容對(duì)電容器兩端產(chǎn)生的電壓有影響。
圖 4 HBM ESD 測(cè)試電路
被測(cè)電容器的電容（Cx）與兩端產(chǎn)生的電壓（Vx）有如下關(guān)系。
當(dāng)電源電壓（Vd）和充電電容的電容（Cd）一定時(shí)，被測(cè)電容的電容（Cx）越大，被測(cè)電容兩端產(chǎn)生的電壓（Vx）越小。 因此，被測(cè)電容器的電容量越大，ESD 電阻越大。
事實(shí)上，電介質(zhì)的類(lèi)型和厚度、耐壓性能范圍等設(shè)計(jì)差異也不同，并非都與上述趨勢(shì)相同。
| 對(duì)象產(chǎn)品 | GCM系列/0402inch尺寸/X7R特性/50V |
|---|---|
| 測(cè)試條件 |
|
| 測(cè)量器 | ESD測(cè)試機(jī)（噪聲研究所） ?本體 ... ESS-200AX ?放電槍 ... Model TC-815D |
| 樣品狀態(tài) | 覆蓋硅樹(shù)脂以防表面泄露 |
| 周?chē)h(huán)境 | 22±5℃、30～60%RH |
| 判定標(biāo)準(zhǔn) | 絕緣電阻 1MΩ |
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